EPC7014UBC
零件编号：
EPC7014UBC
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
EPC Space, LLC
描述：
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
封装：
Bulk
包装：
数量：
1690
RoHS 状态：
NO
库存
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
最大功耗
-
供应商器件封装
4-SMD
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
5V
封装 / 外壳
4-SMD, No Lead
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
1A (Tc)
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.5V @ 140µA
最大栅源电压
+7V, -4V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
22 pF @ 30 V
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