FF06020J-7A

首页产品中心分立半导体产品晶体管 FET、MOSFET 单 FET、MOSFET

FF06020J-7A

零件编号：

FF06020J-7A

产品分类：

单 FET、MOSFET

制造商：

fastSiC

描述：

SICFET N-CH 650V 101A TO-263-7L

封装：

Tape & Reel (TR)

包装：

数量：

1900

RoHS 状态：

PDF：

询价

库存

数量

发送询价单

数量

价格

总价

$39.06

$14.32

$143.2

100

$13.34

$1334

4000

$13.02

$52080

获取报价信息

产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

场效应晶体管类型

N-Channel

场效应晶体管特性

工作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

等级

认证

封装 / 外壳

TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

漏极至源极电压 (Vdss)

650 V

最大功耗

333W (Tc)

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

101A (Tc)

技术

SiCFET (Silicon Carbide)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

18V

供应商器件封装

D2PAK-7L

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

28mOhm @ 35A, 18V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

2.5V @ 60mA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

194 nC @ 15 V

最大栅源电压

18V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

4437 pF @ 400 V

最新产品

Vishay Siliconix

IRF510

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB

了解更多

Vishay Siliconix

IRF9510

MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB

了解更多

Vishay Siliconix

IRFD9220

MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP

了解更多

Vishay Siliconix

IRF840

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB

了解更多

Vishay Siliconix

IRFD110

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

了解更多

Vishay Siliconix

IRFD9113

MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP

了解更多

Vishay Siliconix

IRFD210

MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP

了解更多

Vishay Siliconix

IRFD9110

MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP

了解更多

info@lionfly.com.hk

244423507

深圳市金狮鼎科技有限公司

地址：深圳市福田区红荔路上航大厦西座4楼 410

联系电话：0755-8255-7985 邮箱：info@lionfly.com.hk

移动端扫码