GE12160CEA3
零件编号：
GE12160CEA3
产品分类：
FET、MOSFET 阵列
制造商：
GE Aerospace
描述：
MOSFET 2N-CH 1200V 1.425KA MODUL
封装：
Bulk
包装：
数量：
1612
RoHS 状态：
NO
库存
零件状态
Active
安装类型
Chassis Mount
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
认证
AEC-Q101
封装 / 外壳
Module
供应商器件封装
Module
配置
2 N-Channel (Half Bridge)
技术
Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压 (Vdss)
1200V (1.2kV)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
1.425kA (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
1.5mOhm @ 475A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4.5V @ 480mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
3744nC @ 18V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
90000pF @ 600V
最大功率
3.75kW
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