RM12N650T2
零件编号：
RM12N650T2
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Rectron USA
描述：
MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220-3
封装：
Tube
包装：
数量：
3600
RoHS 状态：
NO
PDF：
库存
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 250µA
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
TO-220-3
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
供应商器件封装
TO-220-3
最大栅源电压
±30V
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
870 pF @ 50 V
最大功耗
101W (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
360mOhm @ 7A, 10V
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