TPH3206PD
零件编号：
TPH3206PD
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Transphorm
描述：
GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
封装：
Tube
包装：
数量：
1616
RoHS 状态：
NO
PDF：
库存
安装类型
Through Hole
场效应晶体管类型
N-Channel
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
供应商器件封装
TO-220AB
封装 / 外壳
TO-220-3
零件状态
Not For New Designs
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
17A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
600 V
最大功耗
96W (Tc)
最大栅源电压
±18V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.6V @ 500µA
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
180mOhm @ 11A, 8V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
760 pF @ 480 V
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